10.3969/j.issn.1001-3814.2006.18.004
Ti/Ti3SiC2复合材料的界面结构
研究了Ti3SiC2和Ti在1 573 K、20 MPa压力下的相互联接及界面结构.结果表明在该温度下二者之间可以相互联接并形成反应层,反应层的主要成分是Ti5Si3和TiCx,各层之间有明显的界面存在,在界面两端硅含量的变化十分明显.
Ti3SiC2、高温连接、反应层
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TB332(工程材料学)
2006-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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