高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究

摘要：

晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率.本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B2H6的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75％的相对效率提升.进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@△n=5 × 1015 cm-3)和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400 μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03％,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化.

关键词：HJT太阳电池、硼掺杂非晶硅发射极、暗电导率、掺杂浓度、梯度掺杂

所属期刊栏目：53

分类号：TM914.4

资助基金：北京市科技计划课题Z201100004520003

在线出版日期：2024-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：132-137