p-Si/n-Ga2O3异质结制备与特性研究

摘要：

本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了 p-Si/n-Ga2O3结构的PN结.通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行Ⅰ-Ⅴ特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度优化实验,减少了 Si衬底与β-Ga2O3之间的晶格失配与热失配带来的影响,对薄膜与器件特性进行了优化.最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga2O3薄膜,以及具有较低理想因子(42.1)的PN结.

关键词：β-Ga2O3薄膜、金属有机化学气相沉积、p-Si/n-Ga2O3、PN结、晶体质量、电学特性

所属期刊栏目：53

分类号：TN36;TB383.2(半导体技术)

资助基金：吉林省自然科学基金;吉林省自然科学基金;国家重点研发计划

在线出版日期：2024-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：73-81