GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展

摘要：

稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE).本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAsxBi1-x半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述.研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备.在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能.然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议.解决这些问题对于提高GaAsxBi1-x半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义.

关键词：稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料、GaAsBi薄膜、多量子阱材料、量子点材料、MBE、MOVPE

所属期刊栏目：53

分类号：TN304;TQ133.5+1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;贵州省科学技术基金;贵州省科学技术基金;半导体功率器件可靠性教育部研究中心开放基金;贵州大学培育项目

在线出版日期：2024-01-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：25-37