10.3969/j.issn.1000-985X.2023.09.010
Er掺杂MnBi2 Te4晶体生长及其微结构研究
MnBi2 Te4是首次被发现的一种本征磁性拓扑绝缘体,具有重要的研究意义.本文通过在MnBi2 Te4 晶体中进行稀土元素掺杂,合成了Er掺杂MnBi2 Te4晶体,Er原子进入晶格并取代Mn位.在晶体制备过程中,考虑到目前晶体制备工艺周期较长,生成物存在Bi2 Te3助熔剂等杂质的问题,对晶体制备工艺进行了优化探索.XRD测试结果表明,利用改进工艺制备的Er掺杂MnBi2 Te4晶体结晶性能良好,不含杂质相.磁电输运测量结果显示,少量Er掺杂MnBi2 Te4晶体的磁性增强,掺杂样品在25.2 K发生反铁磁相变.使用原子力显微镜对Er掺杂MnBi2 Te4 晶体层间距进行了研究,发现层间距为单层MnBi2 Te4的整数倍.通过拉曼测试研究了Er掺杂MnBi2 Te4 晶体声子振动模式,结果表明,Er掺杂是调节MnBi2 Te4磁性的一种可行方法.
MnBi2 Te4、反铁磁拓扑绝缘体、Er掺杂、结晶性、磁性、声子振动模式
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TQ137.1+2;O782
2023-09-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1635-1640