TiN、Ti插入层对ITO与GaN欧姆接触性能影响的研究

摘要：

透明半导体铟锡氧化物(ITO)作为电极能够降低光导开关电极边缘电流集聚效应和提高脉冲激光的利用率.本文通过在ITO与GaN界面之间分别插入10 nm的Ti与TiN,研究Ti、TiN对ITO与GaN欧姆接触性能的影响.I-V测试结果表明,随着退火温度升高,插入TiN的光导开关一直保持欧姆接触特性,而插入Ti的光导开关由欧姆接触转变为肖特基接触.通过TEM测试发现,当以Ti作为插入层时,ITO通过插入层向插入层与GaN的界面扩散,在接触界面形成Ti的氧化物及空洞.透射光谱显示,不同退火温度下插入Ti层的透过率均低于38.3%,而以TiN作为插入层时透过率为38.8%～55.0%.因此含有TiN的光导开关具有更稳定的电学性能和更高的透过率,这为GaN光导开关在高温高功率领域的应用提供了参考.

关键词：GaN光导开关、ITO、Ti、TiN、欧姆接触

所属期刊栏目：52

分类号：O472+.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家重点研发计划;苏州市重点产业技术创新项目;江苏省重点研发计划;江苏省重点研发计划

在线出版日期：2023-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1609-1616