Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究

摘要：

本文使用导模(EFG)法生长了 Ni 掺杂 β-Ga2O3 单晶,并通过粉末 X 射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量.进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni2+掺杂对β-Ga2O3光学特性的影响,发现其(100)面的紫外截止边为252.9 nm,对应的光学带隙为4.74 eV.此外,阴极荧光(CL)光谱测试结果显示,Ni2+掺杂β-Ga2O3单晶在600～800 nm具有宽带近红外发光特性,有望拓宽β-Ga2O3 单晶材料在宽带近红外方面的应用.

关键词：氧化镓、宽禁带半导体、光电性能、宽带近红外发光、导模法、Ni掺杂

所属期刊栏目：52

分类号：O734;TQ133.5+1(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;广东省重点领域研发计划;深圳市基础研究计划;工程2.0

在线出版日期：2023-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1373-1377