Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的生长和性能研究

摘要：

本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响.AFM和XRD表征结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制备的CeO2缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构.SEM表征结果显示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密.在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K,临界电流密度Jc(77 K,0 T)约为1.3 MA/cm2.

关键词：Tl-1223超导薄膜、快速升温烧结法、蓝宝石基片、CeO2缓冲层、磁控溅射、临界转变温度

所属期刊栏目：52

分类号：O511.3(低温物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;广西自然科学基金项目;广西自然科学基金项目

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：629-635