二维Janus型铬硫化物电子和压电性质研究

摘要：

本文主要研究了二维Janus型铬硫化物[Janus CrXY(X/Y=S,Se,Te)]的电子、压电性质.结果表明Janus CrXY是优良的半导体材料,其带隙宽度为0.27～0.83 eV,x轴方向的应变调控对带隙影响较大,而z轴方向的应变调控对带隙影响很小,说明该体系电子特性在z轴方向具有良好的稳定性.通过密度泛函微扰法对体系的压电特性进行研究,结果表明,三种材料均具有较大的面外压电系数d33,特别是CrSeTe的d33可达56.89 pm/V,约是常用压电材料AlN(d33=5.60 pm/V)的10倍.本研究可为二维Janus CrXY在柔性智能纳米领域的实际应用提供理论支撑.

关键词：二维材料、Janus CrXY材料、密度泛函理论、第一性原理、电子特性、压电特性

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分类号：O472+.4;O732+.1(半导体物理学)

资助基金：河北省自然科学基金A2020202010

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：613-620