射频磁控溅射法制备MoS2薄膜的最佳工艺参数研究

摘要：

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS2薄膜.通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS2薄膜结构的影响.通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS2薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS2薄膜的最佳工艺参数.发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显.而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好.根据正交试验法得出溅射温度对MoS2的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量.当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS2膜的结晶度较好.在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向.保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜.

关键词：MoS2薄膜、射频磁控溅射、二维材料、正交试验法、工艺参数

所属期刊栏目：52

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2023-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：271-280