TOPCon太阳电池发射极Al2O3/SiNx与SiO2/Al2O3/SiNx叠层膜钝化性能的比较

摘要：

本文对TOPCon电池发射结的叠层钝化膜进行了研究,对比了3种不同叠层钝化膜(SiO2/SiNx、Al2O3(1.5 nm)/SiNx、SiO2/Al2O3(1.5 nm)/SiNx)的钝化性能.结果表明:Al2O3(1.5 nm)/SiNx的钝化性能优于SiO2/SiNx,SiO2/Al2O3(1.5 nm)/SiNx的钝化水平最佳,隐开路电压均值可达到705 mV.基于Al2O3/SiNx叠层膜研究了Al2O3厚度(1.5 nm、3 nm和5 nm)对钝化性能和电池转换效率的影响.当Al2O3厚度由1.5 nm增加到3 nm时,钝化性能得到明显提升,隐开路电压均值提高了20 mV,达到707 mV,对应电池的光电转换效率升高了0.23个百分点,与SiO2/Al2O3(1.5 nm)/SiNx叠层膜电池的转换效率持平.然而,当Al2O3厚度继续增加至5 nm时,隐开路电压均值保持不变.因此可以使用Al2O3(3 nm)/SiNx叠层膜代替SiO2/Al2O3(1.5 nm)/SiNx叠层膜,不仅简化了电池的工艺步骤,而且降低了生产成本.

关键词：TOPCon电池、表面钝化、三氧化二铝、Al2O3/SiNx叠层钝化膜、钝化性能、隐开路电压

所属期刊栏目：51

分类号：TM914.4

在线出版日期：2023-02-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2090-2095