层状graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结电子特性和界面接触的理论研究

摘要：

利用第一性原理计算方法研究了层间距和外部电场对graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结的电子特性和界面接触的影响规律.由于范德瓦耳斯力作用,graphene和WSSe单层的电子特性可以被保留在graphene/WSSe异质结中.当形成graphene/WSSe异质结时,在石墨烯的狄拉克锥中可以发现小的带隙值(7 meV).电荷转移产生的内建电场在有效阻碍光激发载流子复合中起着关键作用.与两个独立单层相比,graphene/WSSe异质结在可见光区域具有增强的光吸收,在光电子器件中展现出了潜在应用价值.此外,graphene/WSSe异质结在平衡层间距处显示出n型肖特基接触特性.层间距和外部电场都可以用来改变graphene/WSSe异质结的肖特基势垒高度和接触类型,并有效调节graphene狄拉克锥的位置.本文研究内容为graphene/WSSe异质结在纳米电子和光电子器件领域的应用提供理论依据.

关键词：二维材料、异质结、第一性原理计算、肖特基接触、欧姆接触、电子特性、外部电场

所属期刊栏目：51

分类号：TB34;O469(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金21233010

在线出版日期：2023-02-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：2080-2089,2124