Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究

摘要：

受到晶体尺寸以及非线性光学性能的影响,目前可供选择的非线性晶体非常有限.DKDP晶体作为传统大尺寸光电材料,在光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)装置中得到了应用.高氘化的DKDP晶体有更好的光学性能,然而生长出高氘化DKDP晶体对生长环境等有更加严格的要求.本文通过改良的原料合成罐以及生长槽,采用点籽晶快速生长法成功生长出高氘DKDP晶体.按照Ⅰ类(θ=37.23°,φ=45°)切割方式制备样品,并对其氘含量、透过率、光学均匀性以及晶体激光损伤阈值进行测试.实验结果表明,晶体的平均氘含量达到98.49％,在可见-近红外波段下具有较宽的透过波段和较高的透过性能.R-on-1的测试结果显示,在3 ns、527 nm条件下,DKDP晶体的激光损伤阈值达到了19.92 J/cm2.晶体光学均匀性均方根达到了1.833×10-9,表明晶体具有良好的光学均匀性.

关键词：DKDP、非线性晶体、OPCPA、高氘、点籽晶快速生长法、光学性能、Ⅰ类

所属期刊栏目：51

分类号：O782;TB34(晶体生长)

在线出版日期：2023-02-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2009-2013,2030