碳化硅单晶位错研究进展

摘要：

SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能.随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要.相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点.其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容.本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向.

关键词：SiC、位错、位错形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法、位错密度优化水平

所属期刊栏目：51

分类号：O77+2(晶体缺陷)

在线出版日期：2022-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1973-1982