石墨烯上远程外延Ge纳米柱

摘要：

远程外延能够突破传统外延中晶格匹配、热匹配等限制,近年来得到了广泛的关注.Ⅲ-Ⅴ族和Ⅲ-氮化合物半导体已经成功在石墨烯上远程外延生长,但Ⅳ族半导体的远程外延很少被报道.本文首次借助于分子束外延技术在石墨烯上远程外延制备了半导体Ge纳米柱,研究了其生长特性及剥离转移.结果表明:远程外延生长的Ge纳米柱为[111]c晶向,集中分布在石墨烯的褶皱以及衬底Cu-Ni原子台阶处;随着生长温度的提高,Ge纳米柱的高度和密度逐渐下降,但直径差别不大,约为55～65 nm;此外,自组织生长的Ge纳米棒显示无应变的生长状态;引入少量Sn形成GeSn纳米柱,能够显著提升Ge纳米柱的面密度.同时,生长的Ge纳米柱可实现剥离,有望实现异质集成,应用于先进光电子器件等领域.

关键词：石墨烯、远程外延、分子束外延、锗纳米柱、硅基集成、半导体

所属期刊栏目：51

分类号：O781;TM23(晶体生长)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1769-1776