4英寸氧化镓单晶生长与性能

摘要：

本文使用导模法(EFG)制备了4英寸氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究.晶体不同方向劳厄(Laue)衍射斑点清晰一致,符合β-Ga2 O3衍射特征.晶体(400)面摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×104 cm-2.晶体在紫外截止边为262.1 nm,对应光学带隙为4.67 eV.通过C-V测试分析获得非故意掺杂晶体中的电子浓度为7.77×1016 cm-3.

关键词：氧化镓、宽禁带半导体、缺陷、晶体生长、导模法、单晶

所属期刊栏目：51

分类号：O782;TQ133.5+1(晶体生长)

资助基金：广东省重点领域研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1749-1753