4H碳化硅单晶中的位错

摘要：

4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景.经过多年的发展,6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用.然而,4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达103～104 cm-2,阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥.本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型,重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理,并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法,最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质,以及4H-SiC基功率器件性质的影响.

关键词：4H碳化硅、位错、单晶、外延、电学性质、光学性质

所属期刊栏目：51

分类号：TQ163+.4

资助基金：浙江省尖兵领雁研发攻关计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共18页

页码：1673-1690