铟镓共掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结生长行为和光电性能的影响

摘要：

利用低温水热法在p-GaN薄膜上生长了铟(In)和镓(Ga)共掺杂的ZnO纳米棒.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线能量色谱仪(EDS)结果表明,In和Ga已固溶到ZnO晶格中.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,ZnO纳米棒具有良好的c轴取向性,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,纳米棒的直径减小,密度增加.XRD结果表明,In和Ga共掺杂引起ZnO晶格常数增大,导致(002)衍射峰向低角度方向偏移.同时,ZnO的光学性质受到In和Ga共掺杂的影响.与纯ZnO相比,共掺杂ZnO纳米棒的紫外发射峰都出现轻微红移,这是表面共振和带隙重整效应综合作用的结果.I-V特性曲线表明,随着In和Ga共掺杂浓度的增加,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结具有更好的导电性.

关键词：In和Ga共掺杂、ZnO纳米棒、n-ZnO/p-GaN异质结、低温水热法、光学性质、导电性、光电性能

所属期刊栏目：51

分类号：TB383.1(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;山西省自然科学基金;厦门大学PCOSS开放项目

在线出版日期：2022-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1012-1019