无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性

摘要：

采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm-2,达到无位错水平.本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层.利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能.在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析.

关键词：GaSb、衬底、液封直拉法、晶格完整性、位错腐蚀坑密度、倒易空间图、亚表面损伤、化合物半导体

所属期刊栏目：51

分类号：O786(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省重点研发计划

在线出版日期：2022-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1003-1011