单晶金刚石p型和n型掺杂的研究

摘要：

超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景.实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求.因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点.本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望.

关键词：金刚石、离子注入、化学气相沉积、超宽禁带半导体、掺杂、n型、p型

所属期刊栏目：51

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61804166

在线出版日期：2022-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：841-851