掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究

摘要：

二氧化钒(VO2)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料,发展潜力巨大,其相变温度(TMIT)的调控一直是研究热点.本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO2薄膜TMIT的影响,并尝试解释其内部作用机理.在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO2薄膜.研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于TMIT的提高(本课题TMIT最大可达84.7℃).TMIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性,进而增强单斜态的稳定性,使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难.

关键词：二氧化钒、薄膜、相变温度、二氧化锗、晶格畸变、电学性能、V-V二聚体

所属期刊栏目：51

分类号：O484;TB383.2(固体物理学)

资助基金：宁夏自然科学基金项目2020AAC03005

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：666-672