SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备与表征

摘要：

锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力.本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征.结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSx Se2-x单晶纳米片的可控制备.重点研究了依赖于元素百分比的SnSx Se2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSx Se2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因.本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSx Se2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案.

关键词：SnSxSe2-x、化学气相沉积、单晶、纳米片、拉曼光谱、第一性原理、密度泛函理论、三元合金

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分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金;重庆市自然科学基金重点项目;重庆市自然科学基金面上项目;重庆英才项目;中国科学院青年创新促进会项目

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：611-619