n型GaAs欧姆接触电极制备工艺

摘要：

目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点.本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层.400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20.退火温度在400～500℃时可得到很小的比接触电阻率(10-6Ω·cm2),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗.退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的"球聚"有关.该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用.

关键词：砷化镓、半导体、欧姆接触、金锗镍合金、电极材料、离子溅射、比接触电阻率

所属期刊栏目：51

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：江苏省自然科学基金;江苏省高校自然科学基金重大项目

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：606-610