Eu3+离子注入β-Ga2O3单晶的应力变化和发光性质研究

摘要：

采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2 O3:Eu3+样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu3+的光学激活.通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2 O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu3+剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析.利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰.通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关.此外,Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响.

关键词：氧化镓、铕、应力、发光性质、缺陷、离子注入、高斯拟合

所属期刊栏目：51

分类号：TQ133.51;O482.3;O77

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省十三五重点学科项目;江苏省研究生科研与实践创新项目

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：600-605