名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究

摘要：

铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响.本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量.结果表明,CLN晶体内偏置场最高(Eint=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration,VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5％(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7％(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一.最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析.

关键词：铌酸锂晶体、内偏置场、名义纯、掺杂、本征缺陷、阈值浓度

所属期刊栏目：51

分类号：O734;TQ131.1+1(晶体物理)

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：571-578