半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究

摘要：

碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造.根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀.本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景.

关键词：碳化硅;湿法腐蚀;电化学腐蚀;化学腐蚀;晶体缺陷;晶体表面

所属期刊栏目：51

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：333-343