金刚石衬底上GaN HEMT沟道温度建模:各向异性且非均匀热导率的影响

摘要：

为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散.然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关.为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率.基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系.最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260～310 W/(m·K)和1250～1450 W/(m·K).本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法.

关键词：GaN HEMT;沟道温度;各向异性;热导率;解析模型;器件热阻

所属期刊栏目：51

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：教育部重点实验室开放基金;陕西省教育厅科研计划项目

在线出版日期：2022-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：222-228