(Gd0.99-x Yx Ce0.01)2Si2O7晶体的生长及发光特性

摘要：

通过光学浮区法制备了铈掺杂焦硅酸钇钆(Gd0.99-xYxCe0.01)2Si2O7(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)(简写为GYPS:Ce)闪烁晶体,并用X射线衍射(XRD)进行了物相识别,发现其属于正交晶系Pna21.通过真空紫外(VUV)激发和发射光谱、光致发光(PL)衰减曲线、X射线激发发射(XEL)光谱、γ射线脉冲高度谱等表征了它们的光致发光特性和闪烁特性.VUV和XEL光谱的发射峰均位于360 nm左右,对应于5d→4f跃迁.样品的PL衰减时间在29.1～32.9 ns之间;闪烁衰减时间快分量约为28～68 ns,慢分量约为256～583 ns.晶体存在Gd3+→Ce3+的能量传递行为.

关键词：铈掺杂焦硅酸钇钆;浮区法;光学性能;闪烁晶体;衰减时间;光致发光

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分类号：O734(晶体物理)

资助基金：National Natural Science Foundation of China12175130,11875187,11775120

在线出版日期：2021-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1951-1956