碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展

摘要：

碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一.近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用.SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料,其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量,从而影响SiC单晶的电学性质,其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量.因此,合成高纯的SiC粉体是PVT法生长高质量SiC单晶的关键.本文主要介绍了高纯SiC粉体的合成方法及研究现状,重点对气相法和固相法合成高纯SiC粉体的优缺点进行了评述,并提出了今后高纯SiC粉体合成的发展方向.

关键词：单晶;高纯;SiC粉体;半导体;物理气相传输法

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分类号：TQ163.4;TB383.3

在线出版日期：2021-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：1562-1574