Floquet规范转变诱导拓扑π模产生的理论分析

摘要：

拓扑绝缘体是一类内部绝缘而在表面可以导电的物态,其倒空间的能带具有非平庸的拓扑特性,而在其实空间的边界上具有可以单向传播的边界态.这种拓扑界面态出现往往依赖于界面处的拓扑相变.而最近有研究在一类Floquet的拓扑体系中实验观测到一种规范场相变诱导产生的拓扑π模,这种拓扑态的产生可能不依赖于拓扑相变.本文对于这种规范场诱导的拓扑π模的产生机理做出了理论解释.两个Floquet规范相反的体系的哈密顿量由于规范相变而具有相反的π能隙质量项,类似于Jackiw-Rebbi模型,从而导致拓扑界面态的出现.本文的研究为规范场相变诱导拓扑模式的产生提供了理论基础,并加深了人们对于Floquet规范场的理解.

关键词：Floquet系统;拓扑π模;人工规范场;Su-Schriffer-Heeger模型;Jackiw-Rebbi模型;拓扑绝缘体

所属期刊栏目：50

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;南京大学登峰人才计划

在线出版日期：2021-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1340-1347,1355