半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

摘要：

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质.基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性.近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响.在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环.本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述.

关键词：SiC单晶衬底、微管密度、6英寸、半绝缘

所属期刊栏目：50

分类号：TQ163+.4

资助基金：广东省重点领域研发计划2019B010126001

在线出版日期：2021-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：619-628