宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

摘要：

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力.目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术.在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO2,并用光刻的方法将其制备成高掩膜宽度(窗口宽度20μm/掩膜宽度280μm)的宽周期掩膜,再通过氢化物气相外延(HVPE)侧向外延了厚度为325μm的GaN厚膜,通过胶带可以将其进行剥离形成自支撑衬底.同时通过二维的Wulff结构图研究了GaN生长过程中晶面的变化趋势.宽周期掩膜法对于生长可剥离的低位错密度自支撑GaN有着重大意义.

关键词：自支撑GaN、侧向外延、氢化物气相外延、宽周期掩膜法、半导体

所属期刊栏目：50

分类号：O78;TN304(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金重点项目;国家重点研发计划

在线出版日期：2021-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：416-420