10.3969/j.issn.1000-985X.2021.01.004
减少ZnGeP2晶体1~2.5μm光学吸收的研究
ZnGeP2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷VP、GeZn和VZn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP2晶体在光参量振荡器中的应用性能.针对ZnGeP2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟电子辐照来寻找合适的辐照条件,对布里奇曼法生长出的ZnGeP2单晶分别进行退火热处理和电子辐照处理,并采用红外光谱仪和综合物理性能测量系统测试不同条件下ZnGeP2晶体的红外吸收光谱、霍尔系数和载流子浓度.结果表明退火热处理能有效减少ZnGeP2晶体在1.2μm和1.4μm附近的光学吸收,而电子辐照处理有利于减少ZnGeP2晶体在2.0μm附近的光学吸收,实验结果与计算结果一致.
ZnGeP2、点缺陷、布里奇曼法、红外吸收、霍尔效应
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O734;TN752(晶体物理)
国家自然科学基金重大项目51890862
2021-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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