AlN单晶生长行为研究
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10.3969/j.issn.1000-985X.2020.11.021

AlN单晶生长行为研究

引用
本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响.当温差为60℃时,AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长.将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂.通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求.

物理气相传输、表面形貌、台阶流、AlN晶体、同质生长

49

TN304.2(半导体技术)

国家自然科学基金51702297

2020-12-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

2200-2205

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

49

2020,49(11)

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