高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

摘要：

本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能.

关键词：氧化镓单晶、导模法、n型掺杂、肖特基二极管

所属期刊栏目：49

分类号：TN311.7(半导体技术)

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2194-2199