4H-SiC半导体同质外延生长技术进展

摘要：

4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展.同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状.

关键词：4H-SiC、宽禁带半导体、外延生长、化学气相沉积

所属期刊栏目：49

分类号：TN304;TQ163(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0400403

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：2128-2138