AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

摘要：

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.

关键词：AlGaN基材料、外延生长、掺杂、紫外发光器件、紫外探测

所属期刊栏目：49

分类号：O47;TN36(半导体物理学)

资助基金：国家杰出青年科学基金;国家重点研发计划;国家自然科学基金面上项目;苏州纳米所开放课题;发光学及应用国家重点实验室开放课题

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共22页

页码：2046-2067