氮化镓单晶的液相生长

摘要：

氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料.除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展.本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望.

关键词：氮化镓单晶、液相法、氨热法、助熔剂法

所属期刊栏目：49

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：2024-2037