红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究

摘要：

GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污.

关键词：砷化镓、水平布里奇曼法、位错密度、熔区长度、窄熔区技术、载流子浓度分布

所属期刊栏目：49

分类号：O78(晶体生长)

在线出版日期：2020-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1555-1561