新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

摘要：

锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为φ27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8 ×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值.结果 显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8",该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～ 14 μm波长范围内透过率超过68％;另外,晶体在Nd∶ YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2.

关键词：红外非线性光学材料、SrCdGeSe4单晶、坩埚下降法、单晶生长、性质表征

所属期刊栏目：49

分类号：O782+.9(晶体生长)

资助基金：中国工程物理研究院院长基金YZJJLX2019005

在线出版日期：2020-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1505-1508