10.3969/j.issn.1000-985X.2020.08.016
中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长
本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出φ12 mm×40 mm和φ15 mm×50 mm优质CdSiP单晶体.所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40".透过光谱表明CdSiP2晶体在2~6.5tμm的透过率达到57%,接近其理论最大值.辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属.电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn2的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收.
非线性光学晶体、红外激光、磷硅镉、晶体生长、透过率
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O782(晶体生长)
国家自然科学基金;山东省重点研发计划
2020-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1494-1498,1504