中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展

摘要：

AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景.本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最新研究进展,包括采用改进的两温区气相输运温度振荡法合成出单相多晶材料,在四温区立式炉中用改进的Bridgman法生长出AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)系列单晶体,晶体尺寸最大可达φ45 mm×90 mm.AgGaGenS2(n+1)晶体退火后在1μm附近透过率为65％ ～70％,AgGaGeS4晶体1μm吸收系数约为0.01 cm-1.600 K时热膨胀仪测试AgGaGeS4晶体的热膨胀系数分别为αa=1.39×10-5 K-1,αb =6.87 ×10-6 K-1,αc=1.44 ×10-5K-1.AgGaGeS4表面损伤阈值为103 MW·cm-2,是文献报道值50 MW·cm-2的2倍,体损伤阈值为132 MW·cm-2.

关键词：AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体、多晶合成、单晶生长、热膨胀系数、激光损伤阈值

所属期刊栏目：49

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金;四川大学专职博士后研发基金

在线出版日期：2020-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1417-1426