氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究

摘要：

籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多.为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高.本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了两种籽晶氨热生长后晶体表面、生长速率、结晶质量、应力状况.光学显微镜表明两种籽晶生长后晶体的表面具有相似的丘状表面.氨热法生长速率较慢,化学机械抛光籽晶生长速率略高于粗磨籽晶.X射线单晶衍射(XRD) (002)和(102)的摇摆曲线半高宽显示抛光籽晶与粗磨籽晶生长得到GaN结晶质量基本一致.Raman E2(high)频移表明抛光籽晶生长的GaN晶体接近无应力状态,粗磨籽晶生长的晶体存在较小的压应力.

关键词：氮化镓、氨热法、籽晶表面处理、化学机械抛光

所属期刊栏目：49

分类号：O782;TQ133.51(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金61574162,61604169

在线出版日期：2020-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1157-1161,1207