中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

摘要：

镝掺杂硫镓铅(Dy:PbGa2S4,Dy:PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料.为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy:PGS单晶.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy:PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy:PbGa2S4单晶,尺寸达到φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy:PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础.

关键词：中红外激光晶体、Dy:PbGa2S4单晶、竖直梯度冷凝法、晶体生长

所属期刊栏目：49

分类号：O782+.9(晶体生长)

资助基金：中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：771-773