10.3969/j.issn.1000-985X.2020.03.010
气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响
基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点.结果 表明,与传统生长腔相比,气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,并促使石墨烯晶核快速长大.同时,气相捕获腔能够为石墨烯提供一个稳定的生长环境,有利于制备晶格完美的石墨烯晶畴,并为石墨烯晶畴的融合提供更多的有效活性碳原子,加速石墨烯晶畴之间的融合,提高石墨烯薄膜的质量.在此基础上分析了气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响机理.
石墨烯、低压化学气相沉积、气相捕获腔、铜箔、形核、生长
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TB383;O613.71(工程材料学)
陕西省教育厅自然科学专项;陕西省自然科学基础研究专项;攀枝花市科技计划项目
2020-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
439-445