P替代对ZrV2O7介电与电导性能的影响

摘要：

采用固相烧结法制备ZrV2-xPxO7系列材料,研究了P替代对ZrV2O7介电和电导性能的影响.研究发现,ZrV2-xPxO7系列材料的高频介电常数随着P含量的增加而降低;材料的离子弛豫极化和晶界极化速率随P含量的增加先变大后变小,其介电弛豫时间随P含量的增加先增大再减小,其中ZrV1.6P0.4O7具有最大的介电弛豫时间,为5.63 ×1O-4s.由于P和V离子半径和电负性的差异,P的加入会导致晶格畸变和散射几率变化.室温下,ZrV2-xPxO7系列材料的电导率对P的含量非常敏感,ZrV1.6P0.4O7具有最大电导率,为5.83 ×10-5 S·cm-1.对ZrV1.6P0.4O7进行变温特性测试发现,其活化能为0.19 eV.对ZrV2-xPxO7系列材料的电导率和介电的研究对拓展此类材料在电子器件方面的应用具有重要意义.

关键词：介电常数、离子弛豫、电导率

所属期刊栏目：48

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金11874328,11574276

在线出版日期：2019-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1938-1944