苏州维特莱恩公司高品质6英寸电阻法碳化硅单晶研制成功

摘要：

碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高频器件、高光效发光器件等领域的应用极为广泛.碳化硅单晶在低压/高频、中电压和高压/高频多个领域具有完全替代硅材料的优势.受各种因素影响,国内碳化硅单晶品质和产能远不能满足产业需求.

机标关键词：苏州、高品质、英寸、电阻法、碳化硅单晶、高频器件、高化学稳定性、域的应用、因素影响、完全替代、漂移速率、击穿场强、功率器件、高热导率、发光器件、抗辐射、硅材料、高光效、特性、国内

所属期刊栏目：48

分类号：TN3;O78

在线出版日期：2019-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：后插1