GaN体单晶的氨热生长及应力调控

摘要：

采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹.用拉曼光谱测量GaN晶体的E2 (high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大.通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入.

关键词：GaN晶体、氨热法、应力调控

所属期刊栏目：48

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金61574162,61604169

在线出版日期：2019-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1599-1603