10.3969/j.issn.1000-985X.2019.08.008
Mn掺杂InP(111)-In极化面电子结构与磁性的第一性原理研究
本文利用密度泛函的广义梯度近似研究了Mn掺杂InP(111)-In极化面的电子结构与磁学性质.研究结果表明,随着Mn原子的掺杂位置靠近In极化面,Mn原子掺杂的形成能逐渐降低.并且所有Mn掺杂表面模型均表现出稀磁半导体特征.其原因主要在于费米能级附近的Mn-3d自旋态密度具有不对称性.通过对Mn不同掺杂位置的电子态密度、费米能级及Mn原子氧化态的对比分析发现,Mn原子的表面掺杂引起了In极化面的表面原子重构.通过对形成能与净磁矩的分析发现,所有掺杂在表面层的Mn原子的氧化态都是Mn2+.另外,随着Mn原子掺杂位置上移,费米能级向低能级方向移动,表面体系表现出明显的的P型半导体特征.
In极化面、第一性原理、自旋磁矩、电子结构
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O482.5(固体物理学)
黑龙江省教育厅一般项目1353MSYYB016
2019-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1424-1429