新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

摘要：

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点.本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向.

关键词：闪烁晶体、掺杂、GAGG、光输出、能量分辨率

所属期刊栏目：48

分类号：O734(晶体物理)

资助基金："中国科学院关键技术人才"项目Y74YQ3130G;中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目Y74ZC5152G;海西研究院自主部署项目FJCXY18040202

在线出版日期：2019-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1386-1394